一种集成电路结构

摘要

本发明涉及一种集成电路结构，其包含一半导体基片，第一底金属层覆盖于此半导体基片之上，第二底金属层覆盖于第一底金属层之上，以及一过孔连接第一与第二底金属层。其中第一与第二底金属层间的金属线宽度大于最小特征尺寸。

主权项

一种集成电路结构，其特征在于，至少包含：一半导体基片；一第一底金属层(M1)，覆盖于该半导体基片之上，其中该第一底金属层包含多数个第一金属线以及多数个金属垫，该些金属垫排成多数个列，且每一列与每一第一金属线平行，其中任两相邻的第一金属线之间具有一第一间距以及一第二间距，且第一间距为一最小特征尺寸的4倍，该第二间距大于该第一间距，且其中每一该些金属垫的宽度及每一该些第一金属线的宽度分别大于该最小特征尺寸，且其中在该第二间距处，每一该些金属垫与相邻的第一金属线之间的间距最少为该最小特征尺寸；以及一第二底金属层，覆盖于该第一底金属层之上，其中该第二底金属层包含多数个第二金属线，每一该些第二金属线通过过孔连接于该些金属垫之一，且该第二底金属层的每一该些第二金属线的宽度大于该最小特征尺寸。