半导体装置及其半导体工艺

摘要

本发明关于一种半导体装置及其半导体工艺。本发明的半导体装置包括一半导体基板、至少一导电孔及至少一绝缘环。该半导体基板具有一第一表面。该导电孔位于该半导体基板内。每一导电孔具有一导体及一绝缘墙位于该导体的外围，且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面。该绝缘环位于该导电孔的外围，且该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。因为该绝缘环位于该导电孔的外围，该绝缘环能保护该导电孔的末端，使其不受到损伤。此外，该绝缘环及该导电孔的尺寸大于已知导电孔的尺寸，本发明的半导体装置能利用表面处理层、重布层或球下金属层轻易连接其它半导体装置。

主权项

一种半导体工艺，其包含：(a)提供一半导体装置，其具有一半导体基板及至少一导电孔，其中该半导体基板具有一第一表面，该导电孔位于该半导体基板内，该导电孔包括一导体及一绝缘墙位于该导体的外围，且该导电孔显露于该半导体基板的第一表面；(b)于该半导体基板的第一表面，形成一孔洞于该导电孔的外围，其中该孔洞并未贯穿该半导体基板；及(c)形成一绝缘环于该导电孔的外围，其中将一绝缘材料填入该孔洞，该绝缘环的深度小于该绝缘墙的深度。