| 发明名称 | 半导体元件的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。本发明使用具有一角度注入工艺掺杂半导体元件的半导体鳍，且提供一图案化光致抗蚀剂，覆盖部分但非所有的第一型态的半导体鳍，本发明使用具有角度的注入工艺，因此，所有的第二型态的半导体鳍被注入，而第一型态的半导体鳍皆没有被注入。本发明因为减少部分使用的光致抗蚀剂，可达成高倾斜或注入角度。 | ||
| 申请公布号 | CN102130008A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010209279.6 | 申请日期 | 2010.06.21 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 余绍铭;张长昀 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/266(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市德恒律师事务所 11306 | 代理人 | 陆鑫;高雪琴 |
| 主权项 | 一种半导体元件的制造方法，包括以下步骤：提供多个第一半导体鳍和多个第二半导体鳍于一基底的表面上方；以一掩模材料覆盖部分但非所有的第一半导体鳍；及使用具有一角度的注入工艺进行注入，借以使所有所述第一半导体鳍被该掩模材料阻挡，没有进行注入，且使所有的第二半导体鳍被注入。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹市 | ||