半导体精细图形及鳍形场效应管的FIN体的制作方法

摘要

本发明公开了一种精细图形的制作方法，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除覆盖层；以牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形。本发明采用由粗到细的思路，先得到牺牲层粗加工图形，再通过侧面腐蚀以得到牺牲层精细图形，将其作为掩膜刻蚀待加工材料以形成待加工材料的精细图形，整个方案中所形成的精细图形不受光刻和刻蚀技术水平的限制，制作方法实现简单，与传统制作工艺兼容，可控性好，成本低，具有很强的实用价值。

主权项

一种精细图形的制作方法，其特征在于，包括：在待加工材料的表面上形成牺牲层，对所述牺牲层进行粗加工以形成粗加工图形，并在牺牲层的表面上形成覆盖层；从形成的粗加工图形的侧面对所述牺牲层进行选择性腐蚀，使之平面尺寸减小到所需要的尺度，得到牺牲层精细图形；去除所述覆盖层；以所述牺牲层精细图形为掩膜，刻蚀所述待加工材料以形成待加工材料的精细图形。