发明名称 |
双重图形化方法 |
摘要 |
本发明涉及一种双重图形化方法,包括:自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层;利用第一层光刻图形版光刻第一光刻胶层,并以光刻后的第一光刻胶层为掩膜刻蚀图形层;去除第一光刻胶层,在图形层的表面和图形层刻蚀形成的图形间隙内沉积硬掩膜层;对硬掩膜层的表面进行平坦化处理;在硬掩膜层的平坦表面沉积第二光刻胶层;利用第二层光刻图形版光刻第二光刻胶层、以光刻后的第二光刻胶层为掩膜刻蚀硬掩膜层和图形层;去除第二光刻胶层和硬掩膜层。本发明的双重图形化方法增加了第二层光刻工艺所在表面的平整度,进而增加了第二层光刻工艺的工艺窗口,提高了第二层光刻形貌控制能力和刻蚀工艺窗口。 |
申请公布号 |
CN102129968A |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201010619444.5 |
申请日期 |
2010.12.31 |
申请人 |
上海集成电路研发中心有限公司 |
发明人 |
袁伟 |
分类号 |
H01L21/02(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I;G03F7/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/02(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
郑玮 |
主权项 |
一种双重图形化方法,其特征在于,包括如下步骤:自下而上依次在衬底上沉积图形层和旋涂第一光刻胶层;利用第一层光刻图形版光刻所述第一光刻胶层,并以光刻后的所述第一光刻胶层为掩膜刻蚀所述图形层;去除所述第一光刻胶层,在所述图形层的表面和所述图形层刻蚀形成的图形间隙内沉积硬掩膜层;对所述硬掩膜层的表面进行平坦化处理;在所述硬掩膜层的平坦表面沉积第二光刻胶层;利用第二层光刻图形版光刻所述第二光刻胶层、并以光刻后的所述第二光刻胶层为掩膜刻蚀所述硬掩膜层和所述图形层;去除所述第二光刻胶层和所述硬掩膜层。 |
地址 |
201210 上海市浦东新区张江高斯路497号 |