Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体

摘要

本发明提供了具有给定厚度的位错密度低且位错密度分布实质上均匀的表面层的III-V族氮化物系半导体衬底、及其制造方法，以及使用这种衬底外延生长有III-V族氮化物系半导体层的III-V族氮化物系半导体。该半导体衬底制造方法是使III-V族氮化物系半导体晶体边在晶体生长界面产生凹凸边生长(工序I)，进行晶体生长以掩埋凹凸来使生长界面平坦化(工序II)，通过积累位错以减少全体的位错密度，进一步在平坦化的状态进行晶体生长，使位错在晶体中均匀分散的同时，形成自衬底上表面至少大于等于10μm的位错密度分布实质上均匀的层(工序III)。

主权项

一种III‑V族氮化物系半导体衬底，其是由III‑V族氮化物系半导体晶体构成的自支撑的III‑V族氮化物系半导体衬底，其特征在于，该衬底包括第一III‑V族氮化物系半导体晶体层和第二III‑V族氮化物系半导体晶体层，在与衬底上表面几乎垂直的轴上位错线聚集，在具有位错线密集的区域和位错线稀疏的区域的第一III‑V族氮化物系半导体晶体层上，将位错密度分布实质上均匀的第二III‑V族氮化物系半导体晶体层以大于等于10μm的厚度形成至衬底上表面，所述衬底上表面的平均位错密度小于等于5×106cm‑2，该位错密度分布实质上均匀是指，从所述衬底上表面到10μm深度的与所述衬底上表面平行的任意截面的任意处的400μm2的面积的位错线数小于400。