制造非易失性微机电存储器单元的方法

摘要

本发明提供一种非易失性存储器装置和制造非易失性微机电存储器单元的方法。所述方法包含通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层的第一步骤。所述方法的第二步骤是在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂(101)。第三步骤是通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由牺牲材料包围。第四步骤是提供又一材料层(107)，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分。最终，最后步骤是蚀刻掉包围所述悬臂的所述牺牲材料，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔(102)。

主权项

一种制造非易失性微机电存储器单元的方法，所述方法包含以下步骤：通过使用原子层沉积在衬底上沉积第一牺牲材料层；在所述第一牺牲材料层的至少一部分上方提供悬臂；通过使用原子层沉积在所述第一牺牲材料层上方和所述悬臂的一部分上方沉积第二牺牲材料层，使得所述悬臂的一部分由所述第一和第二牺牲材料层包围；提供又一材料层，其覆盖所述第二牺牲材料层的至少一部分；和蚀刻掉包围所述悬臂的所述第一和第二牺牲材料层，进而界定其中悬置所述悬臂的空腔。