IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺

摘要

本发明具体涉及一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺。其特征在于包括如下步骤：1)陶瓷基片清洗活化，并在陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1～2μm的铜膜；2)铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5～10μm；3)将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1060～1076℃；4)键合后的覆铜板冷却。使用本发明制作的覆铜板相对现有技术的电路板具有超薄、强度高、空洞率低、导热效率高、热阻低的优点。

主权项

一种IGBT模块用低热阻陶瓷覆铜板的制作工艺，其特征在于包括如下步骤：1）氧化铝陶瓷基片清洗活化，并在氧化铝陶瓷基片的表面采用PVD工艺沉积一层1~2μm的铜膜；2）铜箔清洗活化，并在铜箔表面采用CVD工艺交替沉积0.1μm厚的氧化亚铜和0.1μm厚的铜，沉积的氧化亚铜和铜的厚度为0.5~10μm；3）将铜箔预压成型，使铜箔沿宽度方向成弧形后与氧化铝陶瓷基片一起放置在键合炉内进行高温键合，键合温度为1070~1130℃；4）键合后的覆铜板冷却，覆铜板冷却时采用了热阶梯循环法进行冷却并消除应力，其步骤如下：a）10分钟时间从键合温度降温至500℃；b）2分钟时间从500℃升温至700℃；c）8分钟时间从700℃降温至200℃；d）2分钟时间从200℃升温至300℃；e）8分钟时间从300℃降温至60℃以下后自然冷却。