发明名称 |
AgMgNi合金导电环制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种AgMgNi合金导电环制备新方法,其工艺路线:抽高真空后熔炼纯银除气→用高纯Ar气保护下制备AgMgNi合金→重熔过程中用N2保护以防止氧化烧损→压铸成型技术制得成形坯→冷加工获得成品。本发明关键技术在于AgMgNi合金压铸成型工艺技术参数的选定及成型过程的有效控制。本发明制备方法具有无偏析、流程短、压铸成型的特点所制备的产品表面组织致密、硬度高、导电性能良好、成品率达到90%以上。 |
申请公布号 |
CN101628328B |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN200910094797.5 |
申请日期 |
2009.08.05 |
申请人 |
昆明贵金属研究所 |
发明人 |
崔浩;谢明;杨有才;孔健稳;陈永泰;刘满门;李靖华;张吉明;张利斌 |
分类号 |
B22D18/00(2006.01)I;B22D17/00(2006.01)I |
主分类号 |
B22D18/00(2006.01)I |
代理机构 |
昆明今威专利代理有限公司 53115 |
代理人 |
赛晓刚 |
主权项 |
一种AgMgNi合金导电环制备方法,其特征在于包含以下步骤:(1)抽高真空后熔炼纯银,进行充分除气,除气真空度为7×10‑3~9×10‑3Pa;(2)充Ar气,顺序加入原料Mg、Ni,升温精炼使Mg充分熔入Ag金属液中,然后浇入石墨铸模中,充分冷却后取出AgMgNi合金铸锭;(3)重熔AgMgNi合金,重熔过程中合金液用N2保护,温度升至1190~1300℃保温5分钟;(4)压铸成型工艺制备半成品坯,压铸成型过程中浇注温度为1160~1270℃;压铸比压为550~650bar;充填速度为30~50m/s;(5)冷加工获得成品。 |
地址 |
650106 云南省昆明市高新技术开发区科技路988号(昆明贵金属研究所) |