| 发明名称 | 沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，在将沟槽内的第一层多晶硅刻蚀至预定深度之后，第二层多晶硅淀积之前，包括如下步骤：1)去除沟槽侧壁和硅平面上的氧化物；2)进行氮离子注入工艺，使氮离子注入到所述沟槽侧壁；3)而后进行热氧化工艺，使所述沟槽侧壁和所述第一层多晶硅表面生长氧化硅。侧壁因氮离子注入使得氧化层的生长速率变慢。采用本发明的方法在两层多晶硅之间形成的氧化层厚度均匀，而且比侧壁和第二层多晶硅间的栅氧化层要厚，显著提高器件的性能；同时这两个不同部位的氧化层在同一部工艺生长完成，使工艺控制变得容易。 | ||
| 申请公布号 | CN102130006A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027334.X | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 金勤海;邱晴和;缪进征 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 张骥 |
| 主权项 | 一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于，在将沟槽内的第一层多晶硅刻蚀至预定深度之后，第二层多晶硅淀积之前，包括如下步骤：1)去除沟槽侧壁和硅平面上的氧化物；2)进行氮离子注入工艺，使氮离子注入到所述沟槽侧壁；3)而后进行热氧化工艺，使所述沟槽侧壁和所述第一层多晶硅表面生长氧化硅。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||