垂直式晶体管结构

摘要

本发明涉及一种垂直式晶体管结构，包括一基板、一源极、一第一闸极、一第一绝缘层、一第二闸极、一闸绝缘层、一汲极、一第二绝缘层以及一半导体通道层。源极配置于基板上。第一闸极配置于源极上且具有至少一第一贯孔。第一绝缘层配置于第一闸极与源极之间。第二闸极配置于第一闸极上且具有至少一第二贯孔。闸绝缘层配置于第一闸极与第二闸极之间且具有至少一第三贯孔。第一贯孔、第二贯孔以及第三贯孔相互连通。汲极配置于第二闸极上。第二绝缘层配置于第二闸极与汲极之间。半导体通道层填充于第一贯孔、第二贯孔与第三贯孔内。本发明提供一种垂直式晶体管结构，其具有较高的导通电流，且可有效降低漏电流的情况产生。

主权项

一种垂直式晶体管结构，其特征在于，包括：一基板；一源极，配置于该基板上；一第一闸极，配置于该源极上，且具有至少一第一贯孔，其中该第一贯孔贯穿该第一闸极；一第一绝缘层，配置于该第一闸极与该源极之间；一第二闸极，配置于该第一闸极上，且具有至少一第二贯孔，其中该第二贯孔贯穿该第二闸极；一闸绝缘层，配置于该第一闸极与该第二闸极之间，且具有至少一第三贯孔，其中该第三贯孔贯穿该闸绝缘层，且该第一贯孔、该第二贯孔以及该第三贯孔相互连通；一汲极，配置于该第二闸极上；一第二绝缘层，配置于该第二闸极与该汲极之间；以及一半导体通道层，填充于该第一贯孔、该第二贯孔与该第三贯孔内。