| 发明名称 | 由InGaO<sub>3</sub>(ZnO)结晶相形成的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供含有In、Ga、Zn的氧化物半导体用溅射靶材及其制造方法，以及使用溅射靶材的氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管的形成方法。其中溅射靶材由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结含有具有InGaO3(ZnO)所示同系结晶结构的化合物，且X射线衍射中2θ＝62～63度之间的峰为InGaO3(ZnO)的最大峰的3％以下。 | ||
| 申请公布号 | CN102131953A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200980133158.3 | 申请日期 | 2009.06.26 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 矢野公规;川岛浩和 |
| 分类号 | C23C14/34(2006.01)I;C04B35/00(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I;H01L21/363(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 翟赟琪 |
| 主权项 | 一种溅射靶材，其特征在于，其由氧化物烧结体形成，所述氧化物烧结体含有具有InGaO3(ZnO)所示同系结晶结构的化合物，X射线衍射中2θ＝62～63度之间的峰为InGaO3(ZnO)的最大峰的3％以下。 | ||
| 地址 | 日本国东京都 | ||