| 发明名称 | 导线结构及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明为一种导线结构及其形成方法，包含一基板；至少一图案化导电层形成于基板之上；一导线，形成于至少一图案化导电层之上；一保护层，围绕导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。上述结构还包括一底层形成于导线之下。底层包括镍、铜或铂。导线包括金或铜。至少一图案化导电层包括至少钛/铜。保护层包括无电镀锡、金、银或镍。 | ||
| 申请公布号 | CN101488489B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200910002513.5 | 申请日期 | 2009.01.16 |
| 申请人 | 育霈科技股份有限公司 | 发明人 | 胡玉山;陈明志;胡迪群 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L23/485(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 梁爱荣 |
| 主权项 | 一种半导体元件的导线结构，其特征在于，包含：一基板；至少一图案化导电层，形成于该基板之上；一导线，形成于该至少一图案化导电层之上；以及一保护层，以无电镀工艺方式形成围绕该导线的上表面及侧壁以避免蚀刻所产生的切口问题。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹县 | ||