降低沟槽隔离漏电的方法

摘要

本发明公开了一种降低沟槽隔离漏电的方法，1.通过光刻的方法在硅片上定义沟槽的位置；2.在硅衬底上刻蚀出沟槽；3.对刻蚀的区域用化学药液进行清洗；4.在高温炉管生长衬垫氧化层；5.在惰性气体中进行高温快速热退火，并快速冷却；6.在惰性气体中进行低温退火；7.采用高密度等离子化学气相淀积的方法填充氧化物；8.退火致密化；9.进行化学机械抛光去除不需要的氧化物。本发明的降低沟槽隔离漏电的方法能够降低缺陷密度，提高氧化物质量，并且兼容现有工艺和设备。

主权项

一种降低沟槽隔离漏电的方法，其特征在于，包括以下步骤：第一步，通过光刻的方法在硅片上定义沟槽的位置；第二步，在硅衬底上刻蚀出沟槽；第三步，对刻蚀的区域用化学药液进行清洗；第四步，在高温炉管生长衬垫氧化层；第五步，在惰性气体中进行高温快速热退火，并快速冷却；所述高温快速热退火温度大于1050摄氏度小于1250摄氏度，升温速度大于10摄氏度每秒，小于100摄氏度每秒；所述快速冷却时降温速度大于50摄氏度每秒，小于200摄氏度每秒；所述惰性气体为氮气、氩气、氨气或者它们的混合气体；第六步，在惰性气体中进行低温退火；所述低温退火采用炉管低温退火，退火的温度小于800摄氏度大于500摄氏度，所述惰性气体为氮气、氩气、氨气或者它们的混合气体；第七步，采用高密度等离子化学气相淀积的方法填充氧化物；第八步，退火致密化；第九步，进行化学机械抛光去除不需要的氧化物。