DDDMOS器件的制造方法

摘要

本发明公开了一种DDDMOS器件的制造方法，包括步骤：在衬底上依次形成埋层和外延层，并在外延层中形成漂移区；采用浅槽隔离工艺在漂移区表面形成一漂移区浅槽；在漂移区浅槽中淀积一层掺杂的多晶硅，多晶硅层的厚度为漂移区浅槽深度的1/3～1/2、掺杂浓度高于漂移区的掺杂浓度；淀积氧化硅填满漂移区浅槽；形成沟道区、栅氧化层、多晶硅栅、源区和漏区。本发明显著提高了栅氧化层的耐压性和可靠性，器件面积能明显缩小，同时通过对掺杂多晶硅中杂质浓度的调节，可获得较低的导通电阻，具有较高的应用价值。

主权项

一种DDDMOS器件的制造方法，包括步骤：在硅衬底上形成一第一导电类型的埋层；在所述埋层上形成第一导电类型的外延层，并在所述外延层上形成一第一导电类型的漂移区；其特征在于，还包括步骤：步骤一、采用浅槽隔离工艺在所述漂移区表面形成一漂移区浅槽；步骤二、在所述漂移区浅槽中淀积一层具有第一导电类型掺杂的多晶硅，所述多晶硅层的厚度为所述漂移区浅槽深度的1/3～1/2、掺杂浓度为所述漂移区掺杂浓度的1到10倍；步骤三、淀积氧化硅填满所述漂移区浅槽，并通过研磨工艺使经过上述工艺的硅片表面平整化；步骤四、在所述外延层部分区域上形成第二导电类型的沟道区；形成栅氧化层、多晶硅栅、源区和漏区，所述多晶硅栅覆盖了所述沟道区和部分漂移区以及部分所述氧化硅，并且所述多晶硅栅通过所述栅氧化层和所述沟道区以及所述漂移区相隔离，所述源区形成在所述沟道区中并和所述多晶硅栅相邻接、所述漏区形成于所述漂移区中并和所述漂移区浅槽相邻接。