| 发明名称 | LDMOS器件的源区及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种LDMOS器件的源区，呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’，c’≥a’，d’≥a’。本发明还公开了所述LDMOS的源区的制造方法。本发明将LDMOS器件的源区的两端区域从传统的半圆形变为多边形，这样在制造源区时，就不会出现离子注入的阴影效应，从而有利于提高LDMOS器件的击穿电压。 | ||
| 申请公布号 | CN102130165A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027292.X | 申请日期 | 2010.01.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 张帅;戚丽娜 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/265(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 陈履忠 |
| 主权项 | 一种LDMOS器件的源区，其特征是，所述源区呈哑铃状，包括包括矩形的中间区域和多边形的两端区域；所述源区的矩形中间区域沿沟道方向的间距为a’；所述源区的多边形两端区域沿沟道方向的最小间距为c’，垂直沟道方向的最小间距为d’，c’≥a’，d’≥a’。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||