| 发明名称 | 从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法 | ||
| 摘要 | 一种微纳米技术领域的从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法，通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1-甲基-3-乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜，再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄膜。本发明沉积得到的锑化铟薄膜经过表面化学修饰水滴的接触角大于150°，滚动角小于20°。本发明的方法简单易行，能够适用于各种导电基底表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102127782A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110009738.0 | 申请日期 | 2011.01.18 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 李梅;路庆华 |
| 分类号 | C25D3/56(2006.01)I;C25D5/48(2006.01)I | 主分类号 | C25D3/56(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 31201 | 代理人 | 王锡麟;王桂忠 |
| 主权项 | 一种从离子液体中沉积制备超疏水性锑化铟薄膜的方法，其特征在于，通过将基底置于含有氯化铟和氯化锑的1‑甲基‑3‑乙基咪唑双三氟甲基磺酰亚胺盐溶液中进行电化学沉积得到薄膜，再对该薄膜进行表面化学修饰得到超疏水性锑化铟薄膜。 | ||
| 地址 | 200240 上海市闵行区东川路800号 | ||