发明名称 |
一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法 |
摘要 |
一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法,它涉及一种晶体硅太阳电池生产的技术领域。它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成,并且在一次PECVD沉积过程中获得。两个子层中,与硅片接触的第一子层(内层)比第二子层薄膜(外层)具有更高的折射率(也即是n1>n2)。一次沉积过程分两个阶段进行,而且在两个阶段中分别采用两个不同的硅烷和氨气流量比;两个不同生长温度;两个不同高频电源输出功率;两个不同的沉积时间;两个不同的工作气压。它用于晶体硅太阳电池时,比单层氮化硅薄膜具有更好的减反射效果和更好的表面钝化效率,可以提高太阳电池的光电转换效率,因此,具有较好的实用价值。 |
申请公布号 |
CN102130185A |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201110027670.9 |
申请日期 |
2011.01.26 |
申请人 |
欧贝黎新能源科技股份有限公司 |
发明人 |
屈盛 |
分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I;C23C16/34(2006.01)I;C23C16/52(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0216(2006.01)I |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
一种用于晶体硅太阳电池的双层氮化硅薄膜及其制备方法,其特征在于它由两个具有不同折射率的氮化硅子层薄膜组成,并且在一次PECVD沉积过程中获得。 |
地址 |
226600 江苏省南通市海安县黄海西路188号 |