| 发明名称 | 金属硅化物接触层的形成方法以及场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种金属硅化物接触层的形成方法以及场效应晶体管，其中所述形成方法包括：提供场效应晶体管，在场效应晶体管的源区以及漏区的部分表面区域内形成应力层；在应力层的表面形成薄膜顶盖层；在源区、漏区以及薄膜顶盖层的表面淀积金属；在高温条件下进行硅化工艺，将所述金属转化为金属硅化物接触层；对场效应晶体管进行高温退火。本发明中，形成的金属硅化物不直接与应力层接触，而是形成于薄膜顶盖层表面，从而改善金属硅化物接触层的质量，进而提高器件的可靠性。 | ||
| 申请公布号 | CN102129995A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010022699.3 | 申请日期 | 2010.01.12 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 杜珊珊;杨正睿 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/41(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种金属硅化物接触层的形成方法，其特征在于，包括：提供场效应晶体管，在场效应晶体管的源区以及漏区的部分表面区域内形成应力层；在应力层的表面形成薄膜顶盖层；在源区、漏区以及薄膜顶盖层的表面淀积金属；在高温条件下进行硅化工艺，将所述金属转化为金属硅化物接触层；对场效应晶体管进行高温退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||