槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件及制作方法

摘要

本发明公开了一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT的器件及制作方法，主要解决现有增强型器件中阈值电压低和制作工艺中刻蚀损伤大所造成的可靠性低的问题。该器件自下而上包括：衬底、I-GaN层、II-GaN层、AlGaN势垒层、源级、漏极、介质层和栅极，其中I-GaN层的中间设有凹槽(1)，以在II-GaN和AlGaN平面界面上形成有二维电子气2DEG，而在II-GaN和AlGaN的倾斜界面几乎不能形成2DEG，这种增强型器件结构根据不同的工艺可制作出金属氧化物半导体栅和肖特基栅两种类型的器件。本发明具有可靠性高，工艺简单，重复性好的优点，可用于高温高频大功率场合、大功率开关以及数字电路中。

主权项

一种槽形沟道AlGaN/GaN增强型HEMT器件，自下而上包括：衬底、I‑GaN层、II‑GaN层、AlGaN势垒层、源级、漏极、介质层和栅极，其特征在于I‑GaN层的中间设有三角形凹槽，以在II‑GaN和AlGaN界面形成了二维电子气2DEG的槽型沟道。