| 发明名称 | 用于沉积三元氧化物栅极电介质的方法及由此形成的结构 | ||
| 摘要 | 描述了形成微电子器件的方法和相关结构。这些方法可以包括将第一金属源、第二金属源和氧源引入至腔中，然后形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的第一金属、第二百分比的第二金属以及第三百分比的氧。 | ||
| 申请公布号 | CN102132379A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200880108867.1 | 申请日期 | 2008.09.28 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | M·R·布雷热;M·V·梅茨;M·L·麦克斯威尼;M·库恩;M·L·哈藤多夫 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 陈松涛;王英 |
| 主权项 | 一种方法，包括：将第一金属源、第二金属源以及氧源引入至腔中；以及形成三元氧化物膜，所述三元氧化物膜包括第一百分比的所述第一金属、第二百分比的所述第二金属以及第三百分比的氧。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚 | ||