| 发明名称 | 半导体器件 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种半导体器件。一种制造半导体器件的方法包含提供载体并将多个半导体芯片附连到载体。半导体芯片具有在第一主面上的第一电极焊盘以及在与第一主面相对的第二主面上的至少第二电极焊盘，由此第一电极焊盘电连接到载体。在载体上形成多个第一凸块，第一凸块由导电材料制成。然后将载体单颗化成多个半导体器件，其中每个半导体器件包含至少一个半导体芯片和一个第一凸块。 | ||
| 申请公布号 | CN102130027A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110001695.1 | 申请日期 | 2011.01.06 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | H.托伊斯 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 李娜;李家麟 |
| 主权项 | 一种制造半导体器件的方法，包括：提供载体；将多个半导体芯片附连到所述载体，所述半导体芯片具有在第一主面上的第一电极焊盘以及在与第一主面相对的第二主面上的至少第二电极焊盘，由此第一电极焊盘电连接到所述载体；在所述载体上形成多个第一凸块，所述第一凸块由导电材料制成；将所述载体单颗化成多个半导体器件，其中每个半导体器件包括至少一个半导体芯片和一个第一凸块。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||