发明名称 半导体元件
摘要 本发明公开了一种半导体装置,包括第一压降部,可提供第一压降;第二压降部,可提供第二压降,并电连接第一压降部;以及连接材料,位于第一压降部及第二压降部之间,且其物理尺度小于第一压降部与第二压降部中至少其一;其中,半导体元件可在总偏压下工作,总偏压大于第二压降,第二压降大于或等于第一压降。
申请公布号 CN102130097A 申请公布日期 2011.07.20
申请号 CN201010002186.6 申请日期 2010.01.13
申请人 晶元光电股份有限公司 发明人 周冠佑;陈勇智
分类号 H01L25/00(2006.01)I;H01L25/03(2006.01)I 主分类号 H01L25/00(2006.01)I
代理机构 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人 邱军
主权项 一种半导体元件,包含:第一压降部,提供第一压降;第二压降部,提供第二压降,并电连接该第一压降部;以及连接材料,位于该第一压降部及该第二压降部之间,且其物理尺度小于该第一压降部与该第二压降部中至少其一;其中,该半导体元件可在总偏压下工作,该总偏压大于该第二压降,该第二压降大于或等于该第一压降。
地址 中国台湾新竹市
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