一种低功耗深结深功率芯片扩散方法

摘要

本发明公开了一种低功耗深结深功率芯片扩散方法，其特征在于通过从减小扩散片的厚度从而使基区宽度降低了约50um；该方法的工作步骤如下：原硅片→清洗→附磷源→扩磷→研磨→清洗→附硼源→扩硼→研磨→清洗。具体工作流程是：a)采用0.7kg的喷砂压力，每次减薄2～3um;b)在扩散可过程采用缓慢降温的方式，改传统的每分钟降温50℃到每分钟降温15℃，用于降低残留在硅片中的温度应力。不仅产品芯片的功耗低，具有高可靠性，在性能上能够达到国外同类产品水平，同时成本也与普通扩散法制作的芯片基本一致。

主权项

一种低功耗深结深功率芯片扩散方法，其特征在于通过从减小扩散片的厚度从而使基区宽度降低了约50um；该方法的工作步骤如下：原硅片→清洗→附磷源→扩磷→研磨→清洗→附硼源→扩硼→研磨→清洗。