| 发明名称 | 用于锗硅碳器件的光刻标记结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于锗硅碳器件的光刻标记结构，所述光刻标记垂直结构从下到上依次为：硅基板；标记形成层---有源区和场区；多晶硅层；锗硅碳外延层。本发明能使光刻标记信号在锗硅碳外延生长后光刻对准和套刻时仍具有优良的信噪比表现，适用于锗硅碳器件的量产。 | ||
| 申请公布号 | CN102129178A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027287.9 | 申请日期 | 2010.01.18 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 阚欢;吴鹏;王雷 |
| 分类号 | G03F7/20(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 戴广志 |
| 主权项 | 一种用于锗硅碳器件的光刻标记结构，其特征在于：所述光刻标记的垂直结构从下到上依次为：硅基板；标记形成层‑‑‑有源区和场区；多晶硅层；锗硅碳外延层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||