发明名称 |
一种垂直磁各向异性多层膜 |
摘要 |
一种垂直磁各向异性多层膜[Ni(x)/Co2MZ(y)]n,其易磁化轴方向垂直于薄膜平面,属于磁性材料领域。其特征在于:Co2MZ为L21、B2或A2结构的半金属Heusler合金组分,M为Fe、Cr、Mn等元素,Z为Al、Si、Ge、B等元素,各层膜厚度x、y为0.6nm<x<20nm,0.4nm<y<5nm,[Ni(x)/Co2MZ(y)]周期结构的重复数目为2<n<20。本发明的优点在于:该薄膜具有高垂直磁各向异性场,可以通过控制Ni层与Co2MZ层的厚度调节矫顽力,并显著低于传统垂直磁各向异性膜的矫顽力,因此它可以用作垂直自旋阀或磁隧道结中的铁磁层,应用时能够克服小尺寸下的磁卷缩和涡旋磁畴结构,且矫顽力可调,能够满足超高灵敏度和存储密度的磁传感器或存储器的使用要求。 |
申请公布号 |
CN101752051B |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201010119180.7 |
申请日期 |
2010.03.05 |
申请人 |
北京科技大学 |
发明人 |
徐晓光;姜勇;李晓其;张德林 |
分类号 |
H01F10/10(2006.01)I |
主分类号 |
H01F10/10(2006.01)I |
代理机构 |
北京东方汇众知识产权代理事务所(普通合伙) 11296 |
代理人 |
刘淑芬 |
主权项 |
一种垂直磁各向异性多层膜,其特征在于:多层膜结构为[Ni(x)/Co2MZ(y)]n,Co2MZ为L21、B2或A2结构的半金属Heusler合金组分,M为Fe、Cr或Mn元素,Z为Al、Si、Ge或B元素,结构中,M位置为一种或两种元素占据,Z位置也为一种或两种元素占据,具体占据的比例不作要求,但要求保证Co∶M∶Z的原子比为2∶1∶1;各层膜厚度x、y为0.6nm<x<20nm,0.4nm<y<5nm,[Ni(x)/Co2MZ(y)]周期结构的重复数目为2<n<20;其性能达到:薄膜的矫顽力在10Oe到1000Oe间,垂直磁各向异性场介于5000Oe到10000Oe区间,400℃退火后薄膜仍保持垂直磁各向异性。 |
地址 |
100083 北京市海淀区学院路30号 |