用于蚀刻具有受控制的制程结果分配的方法

摘要

本发明的实施例大体上提供用来蚀刻一基材的方法。在一实施例中，该方法包括决定一基材温度目标曲线(profile)，其对应在一基材上的蚀刻副产物的一均匀的沉积率；偏好地调节一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线；及蚀刻在被偏好地调节的基材支撑件上的该基材。在另一实施例中，该方法包括提供一基材于一处理室中，该处理室具有一可选择的物质分配于该处理室内，及一具有侧向温度控制的基材支撑件，其中一由该基材支撑件所引起的温度曲线及一物质分配选择包含一控制参数组；用不同的控制参数组来分别蚀刻一第一层物质及蚀刻一第二层物质。

主权项

一种用于蚀刻处理室内的一基材的方法，其至少包含：分别沿垂直于所述基材的表面的方向和平行于所述基材的表面的方向注入来自所述处理室的顶部的处理气体；通过验证到达该基材的表面的物种的通量来决定蚀刻副产物横跨该基材的表面的分配；决定一基材温度目标曲线，其对应于蚀刻副产物在一基材上的均匀沉积率；将该蚀刻副产物横跨该基材的表面的分配与该基材温度目标曲线关连在一起；偏好地调整一基材支撑件的一第一部分相对于该基材支撑件的一第二部分的温度，用以获得在该基材上的该基材温度目标曲线；及在该经过偏好调整的基材支撑件上蚀刻该基材。