发明名称 | 低水峰光纤的制造方法 | ||
摘要 | 低水峰光纤的制造方法,涉及光纤制造技术。本发明包括拉丝、冷却、涂覆、固化等工艺,其特征在于,在拉丝炉内通入氘气或者含氘的混合气体,进行第一次氘处理;在冷却管内通入氘气或者含氘的混合气体,进行第二次氘处理;在涂覆模内通入氘气或者含氘的混合气体,进行第三次氘处理。本发明的有益效果是,降低和消除了拉丝过程中各环节产生的光纤内的缺陷,从而降低了光纤的氢损。使用本发明方法制造的光纤在1383nm氢损的附加损耗小于0.01dB/km。 | ||
申请公布号 | CN101549951B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
申请号 | CN200910059387.7 | 申请日期 | 2009.05.22 |
申请人 | 成都中住光纤有限公司 | 发明人 | 张正涛;袁健;高虎军;向勇 |
分类号 | C03B37/025(2006.01)I | 主分类号 | C03B37/025(2006.01)I |
代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李辰 |
主权项 | 低水峰光纤的制造方法,包括拉丝、冷却、涂覆、固化工艺,其特征在于在拉丝炉内通入含氘的混合气体,进行第一次氘处理;在冷却管内通入含氘的混合气体,进行第二次氘处理;在涂覆模内通入含氘的混合气体,进行第三次氘处理;所述在拉丝炉内通入含氘的混合气体具体为:在所述拉丝炉内通入氘气含量5%,其余为氦气或氩气;所述在冷却管内通入含氘的混合气体具体为:在冷却管内通入氘含量为5%,其余为氦气;所述在涂覆模内通入含氘的混合气体具体为:在涂覆模内通入氘含量为5%,其余为氦气或二氧化碳气体。 | ||
地址 | 610000 四川省成都市高新西区西源大道56号 |