多层陶瓷基板的内置电容器的电容值调整方法以及多层陶瓷基板及其制造方法

摘要

本发明提供对于多层陶瓷基板，不会使电容器电极间的绝缘电阻值和电容器的Q值大幅变化，可以高精度地对内置电容器的电容值进行激光微调的方法。对于在层叠多个陶瓷层(3～5)而成的陶瓷层叠体(6)内具有以第1电容器电极(7)、第2电容器电极(8)和电介质玻璃陶瓷层(4)形成的内置电容器(2)的多层陶瓷基板(1)，通过第1电容器电极(7)的激光微调来调整内置电容器(2)的电容值。该情况下，由含TiO2的电介质晶粒的含有比例为10～35体积％的TiO2类电介质玻璃陶瓷层构成电介质玻璃陶瓷层(4)。

主权项

内置电容器的电容值调整方法，它是调整多层陶瓷基板中的内置电容器的电容值的方法，所述多层陶瓷基板具备层叠多个陶瓷层而成的陶瓷层叠体以及用于构成所述内置电容器的介以特定的所述陶瓷层以相互对向的状态配置的第1和第2电容器电极，其特征在于，具备对所述第1电容器电极进行激光微调的工序，位于所述第1和第2电容器电极间的所述特定的陶瓷层为含TiO2的电介质晶粒的含有比例为10～35体积％的TiO2类电介质玻璃陶瓷层；所述TiO2类电介质玻璃陶瓷层的层厚为12.5～50μm；所述TiO2类电介质玻璃陶瓷层是将如下的玻璃陶瓷组合物烧成而得：包含(A)10～35体积％的以xBaO‑yTiO2‑zREO3/2表示的BaO‑TiO2‑REO3/2类陶瓷，(B)5～42体积％的氧化铝陶瓷，(C)50～79体积％的含有4～17.5重量％的B2O3、28～50重量％的SiO2、0～20重量％的Al2O3和36～50重量％的MO的硼硅酸玻璃；且所述BaO‑TiO2‑REO3/2类陶瓷和所述氧化铝陶瓷的总量在21体积％以上；其中，x、y和z表示摩尔％，满足8≤x≤18、52.5≤y≤65和20≤z≤40，x+y+z＝100，RE为稀土类元素，MO为选自CaO、MgO、SrO和BaO的至少1种。