发明名称 | 检测晶圆的方法 | ||
摘要 | 本发明公开了一种检测晶圆的方法,包括如下步骤:第1步,当x_ins>x_act或y_ins>y_act时,将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元,每个检测单元的横向尺寸为m×x_act,纵向尺寸为n×y_act,x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act,晶圆检测机台对每个检测单元进行检测,并给出每个缺陷在哪个检测单元中,以及缺陷在该检测单元中的坐标;第2步,将每个缺陷在哪个检测单元中,以及缺陷在该检测单元中的坐标;转换为每个缺陷在哪个晶粒中,以及缺陷在该晶粒中的坐标。本发明可以在任意情况下,将缺陷准确定位于每个晶粒之中,从而为后续分析如晶圆中的晶粒良品率分析提供便利。 | ||
申请公布号 | CN102130031A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
申请号 | CN201010027297.2 | 申请日期 | 2010.01.18 |
申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 蔡文新 |
分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 王关根 |
主权项 | 一种检测晶圆的方法,其特征是,包括如下步骤:第1步,当x_ins>x_act或y_ins>y_act时,将相邻的m×n个晶粒作为一个矩形的检测单元,每个检测单元的横向尺寸为m×x_act,纵向尺寸为n×y_act,x_ins≤m×x_act且y_ins≤n×y_act,晶圆检测机台对每个检测单元进行检测,并给出每个缺陷在哪个检测单元中,以及缺陷在该检测单元中的坐标;所述x_ins为晶圆检测机台的横向检测精度;所述y_ins为晶圆检测机台的纵向检测精度;所述x_act为每个晶粒的横向尺寸;所述y_act为每个晶粒的纵向尺寸;第2步,将每个缺陷在哪个检测单元中,以及缺陷在该检测单元中的坐标;转换为每个缺陷在哪个晶粒中,以及缺陷在该晶粒中的坐标。 | ||
地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 |