| 发明名称 | 以高频等离子体为热源制备纳米二氧化锡的方法及装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种以高频等离子体为热源制备纳米二氧化锡的方法及装置，将粒度不超过0.1mm的金属锡或二氧化锡粉料由圆盘给料机经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在6000～10000℃的高温等离子体弧区内气化，气态二氧化锡在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。本发明创新性的采用圆盘给料机均匀给料并经气体雾化，保证粒度分布均匀，采用高频等离子体为热源，将金属锡或二氧化锡瞬间气化为蒸气并快速骤冷来生产纳米二氧化锡，所得成品的纯度高，纳米二氧化锡的平均粒径为50～80nm、比表面积为50～100㎡/g、不易团聚，本发明方法具有设备简单、易于操作、生产成本低、所得产品质量好等特点。 | ||
| 申请公布号 | CN102126746A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110114238.3 | 申请日期 | 2011.05.05 |
| 申请人 | 贵州正业工程技术投资有限公司 | 发明人 | 张瑜;王翔;沈志平;高跃生;黎明 |
| 分类号 | C01G19/02(2006.01)I;B82Y40/00(2011.01)I | 主分类号 | C01G19/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 贵阳中新专利商标事务所 52100 | 代理人 | 顾书玲 |
| 主权项 | 以高频等离子体为热源制备纳米二氧化锡的方法，其特征在于：将粒度不超过0.1mm的金属锡或二氧化锡粉料由圆盘给料机经气体雾化后投入立式反应炉内，使粉料在5000～8000℃的高温等离子体弧区内气化，气态二氧化锡在反应炉出口处用压缩空气急速冷却至120℃以下，收集，即得。 | ||
| 地址 | 550005 贵州省贵阳市宝山南路564号 | ||