| 发明名称 | 一种电流调整二极管芯片及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种电流调整二极管芯片，其包括衬底层以及覆盖衬底层上的外延层；其中，于所述外延层的中心区域上形成一漏区，该漏区表面进一步设有第一欧姆接触扩散层以及覆盖第一欧姆接触扩散层上的第一金属层；于该漏区的外缘分别设有环形的P型栅区及位于P型栅区下的沟道；于沟道的外缘设有环形源区，该源区表面进一步设有第二欧姆接触扩散层；在源区的外缘设一穿通扩散层5，于栅区的外侧、源区、穿通扩散层的内侧上设有第二金属层；所述衬底层的底部设有覆盖背面的第三金属层。本发明的电流调整二极管芯片可满足各种封装要求，且具有金属化工艺和封装工艺成本都较低等诸多优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102130182A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010528648.8 | 申请日期 | 2010.11.03 |
| 申请人 | 绍兴旭昌科技企业有限公司 | 发明人 | 保爱林 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 绍兴市越兴专利事务所 33220 | 代理人 | 方剑宏 |
| 主权项 | 一种电流调整二极管芯片，其特征在于：包括衬底层以及覆盖衬底层上的外延层；其中，于所述外延层的中心区域上形成一漏区，该漏区表面进一步设有第一欧姆接触扩散层以及覆盖第一欧姆接触扩散层上的第一金属层；于该漏区的外缘分别设有环形的P型栅区及位于P型栅区下的沟道；于沟道的外缘设有环形源区，该源区表面进一步设有第二欧姆接触扩散层；在源区的外缘设一穿通扩散层5，于栅区的外侧、源区、穿通扩散层的内侧上设有第二金属层；所述衬底层的底部设有覆盖背面的第三金属层。 | ||
| 地址 | 312000 浙江省绍兴市经济开发区东山路龙山科技园 | ||