发明名称 非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法
摘要 本发明公开了一种非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法,是在非真空下以湿式方式,利用第一透明导电氧化层形成处理、铜铟镓硒层与硫化镉层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理,而在背面电极层上依序形成第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层,进而形成高转换率的铜铟镓硒太阳电池,其中第一透明导电氧化层形成处理、氧化锌层形成处理及第二透明导电氧化层形成处理分别包括雷切割处理,依序对工作件进行镭射及刮刀切割,形成分段的次工作件,藉以提高制程的整合性及产品的质量。
申请公布号 CN102130201A 申请公布日期 2011.07.20
申请号 CN201010000653.1 申请日期 2010.01.14
申请人 正峰新能源股份有限公司 发明人 庄泉龙
分类号 H01L31/18(2006.01)I 主分类号 H01L31/18(2006.01)I
代理机构 北京华夏博通专利事务所 11264 代理人 刘俊
主权项 一种非真空湿式铜铟镓硒太阳电池制作方法,用以在非真空下以湿式方式制造铜铟镓硒太阳电池的第一透明导电氧化层、铜铟镓硒层与硫化镉层、氧化锌层及第二透明导电氧化层,其特征在于,该方法包括以下依序进行的步骤:对具有背面电极层的基板,利用第一透明导电氧化层形成装置,进行第一透明导电氧化层形成处理,该背面电极层位于基板上,且该基板底下是由多个滚轮支撑并向前带动,该第一透明导电氧化层形成处理包括混合处理、涂布层形成处理、烘干处理、实密化处理、热处理及切割处理,进而在该背面电极层上形成该第一透明导电氧化层;利用铜铟镓硒层与硫化镉层形成装置,进行铜铟镓硒层与硫化镉层形成处理,包括混合处理、涂布层形成处理、烘干处理、实密化处理、初级硫硒反应处理、热处理、杂相清除处理、后级硫硒反应处理及硫化镉层生长处理,藉以在该第一透明导电氧化层上依序形成铜铟镓硒层与硫化镉层;利用氧化锌层形成装置以进行氧化锌层形成处理,包括混合处理、涂布层形成处理、烘干处理、实密化处理、热处理及切割处理,进而在该硫化镉层上形成氧化锌层;以及利用第二透明导电氧化层形成装置,进行第二透明导电氧化层形成处理,包括混合处理、涂布层形成处理、烘干处理、实密化处理、热处理及切割处理,藉以在该氧化锌层上形成第二透明导电氧化层。
地址 中国台湾桃园县