| 发明名称 | 晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种晶体管、制造该晶体管的方法及包括该晶体管的电子装置。所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层和第二钝化层，顺序地设置在栅极绝缘层上。第一钝化层覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层。第二钝化层包含氟(F)。 | ||
| 申请公布号 | CN102130177A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010569845.4 | 申请日期 | 2010.11.30 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 金善日;朴宰彻;金尚昱;朴永洙;金昌桢 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L23/31(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人 | 韩明星;李娜娜 |
| 主权项 | 一种晶体管，所述晶体管包括：沟道层；源极和漏极，分别接触沟道层的相对的两端；栅极，与沟道层对应；栅极绝缘层，位于沟道层和栅极之间；第一钝化层，覆盖源极、漏极、栅极、栅极绝缘层和沟道层；第二钝化层，包含氟且位于第一钝化层上。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道水原市 | ||