| 发明名称 | 碳化硅功率模块的封装方法及碳化硅功率模块 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还公开一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。 | ||
| 申请公布号 | CN102130021A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110000519.6 | 申请日期 | 2011.01.04 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司;中国电力科学研究院 | 发明人 | 丁荣军;罗海辉;雷云;李继鲁;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明;温家良;金锐 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/58(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L23/488(2006.01)I;H01L23/29(2006.01)I;H01L25/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种碳化硅功率模块的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，在引线上设置一压环，压环内放置弹簧，弹簧压接引线，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路 | ||