发明名称 |
一种基于金刚石薄膜的LED散热基底及其制作方法 |
摘要 |
一种基于金刚石薄膜的散热基底,包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层,在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构,所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性;过渡层为Ti薄膜,在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。本发明的优点是:采用导热率最高的金刚石薄膜来作为LED基底的散热层,形成硅上金刚石(DOS)结构,大大提高了散热的效率。同时在散热沉底上直接制作焊接用的金属凸点,减少热量的传输距离,利用热化学机械平坦化对金刚石表面进行表面改性及平坦化,改善表面粗糙度,激活表面的价健从而改善金刚石薄膜与金属凸点的粘附性,防止接触界面中间产生气泡等缺陷,形成的良好接触界面能够降低结热阻,提高散热效率。 |
申请公布号 |
CN102130244A |
申请公布日期 |
2011.07.20 |
申请号 |
CN201010593297.9 |
申请日期 |
2010.12.17 |
申请人 |
天津理工大学 |
发明人 |
张楷亮;张涛峰;王芳;曲长庆;王莎莎 |
分类号 |
H01L33/02(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/02(2010.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种基于金刚石薄膜的散热基底,其特征在于:包括硅衬底、金刚石薄膜和过渡层,在硅衬底上制备金刚石薄膜具有硅上金刚石(DOS)结构,所述金刚石薄膜表面粗糙度在去除封端顶层和进行表面平坦化处理后为纳米量级并进行表面改性;过渡层为Ti薄膜,其厚度为10nm~50nm,在制备金属凸点之前先沉积于表面改性后的金刚石薄膜上。 |
地址 |
300384 天津市南开区红旗南路延长线天津理工大学主校区 |