沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法

摘要

本发明公开了一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，为分别在沟槽底部和接触孔底部形成导电类型与外延层相反的第一阱区和第二阱区，且在将第一阱区引出的连接区域进行深阱注入和注入层的注入，将第一阱区和源极进行连接。本发明的制备方法能降低沟槽型双层栅功率MOS晶体管的米勒电容和通态电阻，降低开关功耗，提高开关速度。

主权项

一种沟槽型双层栅功率MOS晶体管的制备方法，其特征在于：先对硅衬底进行深阱离子注入，而在深阱注入前的光刻工艺中，去除预设形成注入层的位置处的光刻胶，而后进行深阱的注入，深阱的深度比沟槽深，且位于外延层内，所述深阱的导电类型与外延层相反；在所述沟槽刻蚀之后，包括采用离子注入工艺在所述沟槽底部形成导电类型与体区相同的第一阱区的步骤和在部分沟槽内壁表面和硅表面形成导电类型与体区相同的注入层的步骤，所述注入层为所述第一阱区的接触区，用于通过通孔与源极电连接；所述沟槽型双层栅功率MOS晶体管中双层栅之间的氧化层采用热氧工艺制备而成；在源区的制备步骤中，先采用光刻工艺使光刻胶覆盖有所述注入层的硅表面，而后进行离子注入形成源区；而在刻蚀层间膜形成接触孔之后，对接触孔底部进行两次离子注入，所注入的离子导电类型与体区的相同，分别在所述接触孔底部形成第二阱区和在接触孔底部表面形成欧姆接触区，所述第二阱区深于所述欧姆接触区。