反相可变电阻存储器单元及其制造方法

摘要

本发明提供一种反相可变电阻存储器单元及其制造方法。所述存储器单元通过以下步骤来制造：在沉积于半导体衬底上的绝缘层中形成开口；蚀刻所述开口的顶部部分以使其具有大体上半圆形形状；在所述开口中形成金属层；以及使可变电阻材料上覆于所述金属层上。

主权项

一种相变存储器单元，其包括：第一绝缘层，其具有开口，所述开口具有顶部部分和底部部分，其中所述第一绝缘层中的所述开口的所述顶部部分是半球形；第一导电层，其形成于所述开口上，所述第一导电层沿着所述顶部部分的侧壁具有均一的厚度且填充所述底部部分；以及相变材料层，其形成于所述第一导电层上且形成于所述开口的所述顶部部分内。