| 发明名称 | 一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，采用双向晶体管对称基区互联方法，将N型硅单晶片进行大面积P+扩散后，再进行双面光刻发射区窗口、发射区扩散，再调整雪崩击穿电压和负阻，进行双面光刻引线孔、金属化、凸点电镀、划片，最后形成双向触发二极管。本发明采用双向晶体管对称基区互联方法，形成垂直对称双晶体管结构，利用成熟的晶体管基区控制技术，达到调整击穿电压和实现雪崩负阻特性，生产的双向触发二极管芯片具有负阻摆幅大、反向漏电小、重复性和稳定性好的特点，一般能达到击穿电压的40%。 | ||
| 申请公布号 | CN102129985A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010610225.0 | 申请日期 | 2010.12.29 |
| 申请人 | 朝阳无线电元件有限责任公司 | 发明人 | 李志福 |
| 分类号 | H01L21/329(2006.01)I;H01L21/223(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/329(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京鼎佳达知识产权代理事务所(普通合伙) 11348 | 代理人 | 蒋常雪 |
| 主权项 | 一种玻封双向触发二极管芯片的制造方法，其特征在于，所述方法步骤为：采用双向晶体管对称基区互联方法，将N型硅单晶片进行大面积P+扩散后，再进行双面光刻发射区窗口、发射区扩散、调整雪崩击穿电压和负阻，双面光刻引线孔、金属化、凸点电镀、划片，最后形成双向触发二极管。 | ||
| 地址 | 122000 辽宁省朝阳市新华路二段75号 | ||