太阳能电池及其制造方法

摘要

一种太阳能电池包括：p-n结构，其具有第一导电半导体衬底、在第一导电半导体衬底上形成并具有与第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在第一导电半导体衬底与第二导电半导体层之间的界面处形成的p-n结；第一抗反射膜，其在第二导电半导体层上形成并由厚度为40～100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，其在第一抗反射膜上形成并由氧氮化硅构成；前电极，其以预定的图案在第二抗反射膜上形成并通过第一和第二抗反射膜而连接到第二导电半导体层；以及后电极，其在与前电极相对的一侧形成，其中第一导电半导体衬底插在它们之间，以将该后电极连接到第一导电半导体衬底。

主权项

一种太阳能电池，包括：p‑n结构，具有第一导电半导体衬底、在所述第一导电半导体衬底上形成并具有与所述第一导电半导体衬底相反的导电性的第二导电半导体层、以及在所述第一导电半导体衬底与所述第二导电半导体层之间的界面处形成的p‑n结；第一抗反射膜，在所述第二导电半导体层上形成并由厚度为40nm至100nm的SiNx:H薄膜构成；第二抗反射膜，在所述第一抗反射膜上形成并由厚度为10nm至200nm的氧氮化硅构成；前电极，以预定的图案在所述第二抗反射膜上形成并通过所述第一和第二抗反射膜而连接到所述第二导电半导体层；以及后电极，在与所述前电极相对的一侧形成，其中所述第一导电半导体衬底插在它们之间，以便所述后电极连接到所述第一导电半导体衬底。