| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，其中半导体衬底内形成有浅沟槽；在浅沟槽内壁形成牺牲层；刻蚀腐蚀阻挡层后，刻蚀垫氧化层且去除牺牲层；在浅沟槽内壁形成衬氧化层后，向浅沟槽内填充满绝缘层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。本发明的浅沟槽内壁平整均匀。 | ||
| 申请公布号 | CN101728307B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200810201776.4 | 申请日期 | 2008.10.24 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 倪百兵;刘焕新 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种浅沟槽隔离结构的制作方法，其特征在于，包括：提供依次形成有垫氧化层和腐蚀阻挡层的半导体衬底，其中半导体衬底内形成有浅沟槽；在浅沟槽内壁形成牺牲层；刻蚀腐蚀阻挡层后，刻蚀垫氧化层并同时去除牺牲层，垫氧化层和牺牲层的材料一致；在浅沟槽内壁形成衬氧化层后，向浅沟槽内填充满绝缘层；去除腐蚀阻挡层和垫氧化层，形成浅沟槽隔离结构。 | ||
| 地址 | 201210 上海市浦东新区张江路18号 | ||