| 发明名称 | 一种碳化硅功率器件的封装方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种碳化硅功率器件的封装方法，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；选择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与碳化硅芯片的电极焊接，另一端与衬板上的电极焊接；将功率接线端子焊在衬板的电极上；安装管壳，填充热膨胀缓冲层和密封剂，再安装管盖。本发明可有效提高碳化硅功率器件的使用温度。 | ||
| 申请公布号 | CN102130020A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201110000503.5 | 申请日期 | 2011.01.04 |
| 申请人 | 株洲南车时代电气股份有限公司 | 发明人 | 丁荣军;罗海辉;刘博;曾文彬;雷云;吴煜东;刘国友;彭勇殿;张明 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明;王宝筠 |
| 主权项 | 一种碳化硅功率器件的封装方法，其特征在于，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与碳化硅芯片的电极焊接，另一端与衬板上的电极焊接；将功率接线端子焊在衬板的电极上；安装管壳，填充热膨胀缓冲层和密封剂，再安装管盖。 | ||
| 地址 | 412001 湖南省株洲市石峰区时代路 | ||