| 发明名称 | SRAM的版图结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种SRAM的版图结构，包括有源区、第一层多晶硅、第二层多晶硅、接触孔电极和金属连线；所述SRAM单元划分为CMOS1和CMOS2；其中CMOS1由晶体管PMOS1和NMOS1组成，CMOS2由晶体管PMOS2和NMOS2组成；晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极通过第二层多晶硅相连接，晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极也通过第二层多晶硅相连接；CMOS1的栅极、PMOS2的漏极、NMOS2的漏极通过金属连线相连接；CMOS2的栅极、PMOS1的漏极、NMOS1的漏极通过金属连线相连接。本发明具有版图结构简单、制造方便的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN102130129A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010027328.4 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 陈广龙;谭颖 |
| 分类号 | H01L27/11(2006.01)I;H01L23/528(2006.01)I;H01L21/8244(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/11(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 刘昌荣 |
| 主权项 | 一种SRAM的版图结构，其特征是，包括有源区、第一层多晶硅、第二层多晶硅、接触孔电极和金属连线；所述SRAM单元划分为CMOS1和CMOS2；其中CMOS1由晶体管PMOS1和NMOS1组成，CMOS2由晶体管PMOS2和NMOS2组成；晶体管PMOS1的漏极和NMOS1的漏极通过第二层多晶硅相连接，晶体管PMOS2的漏极和NMOS2的漏极也通过第二层多晶硅相连接；CMOS1的栅极、PMOS2的漏极、NMOS2的漏极通过金属连线相连接；CMOS2的栅极、PMOS1的漏极、NMOS1的漏极通过金属连线相连接。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||