| 发明名称 | 通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有金属层和覆盖该金属层的具有图形的图形化掩膜层；使用包含CH4的刻蚀气体以形成等离子体，对该金属层进行干法刻蚀，以将该图形转移到所述金属层；以及去除覆盖在所述金属层上的图形化掩膜层，以形成金属栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN102129975A | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN201010023130.9 | 申请日期 | 2010.01.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 王新鹏;张世谋;张海洋 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;C23F4/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;顾珊 |
| 主权项 | 一种通过等离子体刻蚀法形成金属栅极的方法，该方法包括以下步骤：提供半导体衬底，该半导体衬底上具有金属层和覆盖该金属层的具有图形的图形化掩膜层；使用包含CH4的刻蚀气体以形成等离子体，对该金属层进行干法刻蚀，以将该图形转移到所述金属层；以及去除覆盖在所述金属层上的图形化掩膜层，以形成金属栅极。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||