一种双掺杂In₂O₃基热电材料的制备方法

摘要

一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，涉及氧化物陶瓷材料及其制备。该方法首先按In2-2xZnxGexO3(0＜x≤0.20)的化学计量比称取ZnO、GeO2和In2O3的粉末，混合后在250℃～700℃条件下煅烧，完成物相的成相阶段。把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，即得到Zn，Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。本发明与普通的固相烧结相比，具有反应时间短，烧结温度低，能有效克服现有技术反应温度高，反应时间长，能耗大，化合物偏离化学比等缺点；并且烧结的样品性能有很大的提高，在700℃下其ZT值可以达到0.6。

主权项

一种双掺杂In2O3基热电材料的制备方法，其特征在于该方法按如下步骤进行：1)按In2‑2xZnxGexO3的化学计量比，称取ZnO，GeO2和In2O3的粉末，其中0＜x≤0.20；2)将ZnO、GeO2和In2O3粉末混合后，在250℃～700℃条件下煅烧，煅烧时间为1～6小时，完成物相的成相阶段；3)把煅烧后的粉体放入石墨模具，压实，用放电等离子体烧结成块体材料，烧结温度为850～1000℃，烧结的升温速率为100～200℃/min，保温时间2～10分钟，即得到Zn和Ge双掺杂In2O3氧化物热电材料。