形成浅槽隔离区的方法

摘要

本发明是有关于一种形成浅槽隔离区的方法，此方法包括提供一半导体基材，其中半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中此开口从前述的上表面延伸至半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入前述的开口中；对介电材料进行一第一处理步骤，其中第一处理步骤提供一能量足以破坏介电材料的多个键结；以及对介电材料进行一蒸汽退火步骤。

主权项

一种形成浅槽隔离区的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供一半导体基材，其中该半导体基材至少包含一上表面；形成一开口，其中该开口从该上表面延伸至该半导体基材中；进行一共形沉积步骤，以利用一介电材料填入该开口中，其中填入该介电材料的步骤在该介电材料中产生一缝隙；对该介电材料进行一第一处理步骤，其中该第一处理步骤至少包含利用波长短于250纳米的紫外光或电子束进行照射，以提供一能量足以破坏该介电材料的多个碳‑氧键结、活化氧原子、移除乙基端、并形成多个硅‑氧‑硅键结，且该第一处理步骤至少包含利用多个元素进行一植入步骤，该些元素为氮、氩或氧气，使该些元素的一植入深度深于该缝隙的一底部，并使该些元素的一植入高度高于该开口的一底部；对该介电材料进行一蒸汽退火步骤；以及在该蒸汽退火步骤之后，进行一干式退火步骤。