| 发明名称 | 高折射率聚硅氧烷及其制备 | ||
| 摘要 | 高折射率的聚硅氧烷包括通式(I)的硅氧烷T单元，式中，A表示具有1-4碳原子的亚烷基，n＝0或1，m为至少1，且Ar为被至少一个碘、溴或氯原子取代的芳基，或者是多核芳族基团。本发明包括具有通式为(Ar)m-(A)nSiCl3的用于形成高折射率的聚硅氧烷的氯硅烷。 | ||
| 申请公布号 | CN101633735B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200910168034.0 | 申请日期 | 2002.07.18 |
| 申请人 | 陶氏康宁公司 | 发明人 | P·切瓦里尔;区端力 |
| 分类号 | C08G77/385(2006.01)I;C08G77/24(2006.01)I;C08G77/06(2006.01)I;C07F7/12(2006.01)I | 主分类号 | C08G77/385(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 张钦 |
| 主权项 | 在633纳米光波长下折射率大于1.56的聚硅氧烷的制备方法，其特征在于使包含Ar’(R)XSiO(3‑x/2)单元的芳基聚硅氧烷与氯、溴或碘反应，式中Ar’是芳基，每个R独立地表示烷基、芳基、卤代烷基、烷氧基或氢基团，且x＝0、1或2。 | ||
| 地址 | 美国密执安 | ||