| 发明名称 | 一种存储装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种存储装置及其制造方法。此处所述的存储装置包含多个存储单元。该多个存储单元中的每一存储单元包含：一二极管，其包含有掺杂半导体材料、一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有与该二极管侧边自我对准的侧边。每一存储单元更包含一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。 | ||
| 申请公布号 | CN101685827B | 申请公布日期 | 2011.07.20 |
| 申请号 | CN200910159799.8 | 申请日期 | 2009.07.22 |
| 申请人 | 旺宏电子股份有限公司;国际商用机器公司 | 发明人 | 龙翔澜;林仲汉 |
| 分类号 | H01L27/24(2006.01)I;H01L29/861(2006.01)I;G11C16/02(2006.01)I;H01L21/82(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I;H01L45/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 周国城 |
| 主权项 | 一种存储装置，其特征在于，包含多个存储单元，该多个存储单元中的每一存储单元，包含：一二极管，包含掺杂半导体材料；一介电间隔物，在该二极管上，且定义一开口，该介电间隔物具有一侧边，该侧边与该二极管的侧边对准；及一存储器元件，在该介电间隔物上以及包含在该开口内与该二极管的一顶表面接触的一部份。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区力行路16号 | ||