发明名称 |
Verfahren zur Bildung von Zinkoxidfilm (ZnO) oder Magnesiumzinkoxidfilm (ZnMgO) und Anlage zur Bildung von Zinkoxidfilm oder Magnesiumzinkoxidfilm |
摘要 |
Verfahren zur Bildung eines Zinkoxidfilmes oder eines Magnesiumzinkoxidfilmes, umfassend folgende Schritte: (A) Umwandeln einer Lösung (4, 8), umfassend Zink oder Zink und Magnesium, in Nebel, (B) Erwärmen eines Substrates (2); und (C) Zufuhr der im Schritt (A) in Nebel umgewandelten Lösung und Ozon zu einer ersten Hauptoberfläche des Substrates im Schritt (B). |
申请公布号 |
DE112008004011(T5) |
申请公布日期 |
2011.07.14 |
申请号 |
DE20081104011T |
申请日期 |
2008.09.24 |
申请人 |
TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION |
发明人 |
SHIRAHATA, TAKAHIRO;ORITA, HIROYUKI;YOSHIDA, AKIO;KOGURA, MASAHISA |
分类号 |
C23C16/40 |
主分类号 |
C23C16/40 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|