发明名称 Verfahren zur Bildung von Zinkoxidfilm (ZnO) oder Magnesiumzinkoxidfilm (ZnMgO) und Anlage zur Bildung von Zinkoxidfilm oder Magnesiumzinkoxidfilm
摘要 Verfahren zur Bildung eines Zinkoxidfilmes oder eines Magnesiumzinkoxidfilmes, umfassend folgende Schritte: (A) Umwandeln einer Lösung (4, 8), umfassend Zink oder Zink und Magnesium, in Nebel, (B) Erwärmen eines Substrates (2); und (C) Zufuhr der im Schritt (A) in Nebel umgewandelten Lösung und Ozon zu einer ersten Hauptoberfläche des Substrates im Schritt (B).
申请公布号 DE112008004011(T5) 申请公布日期 2011.07.14
申请号 DE20081104011T 申请日期 2008.09.24
申请人 TOSHIBA MITSUBISHI-ELECTRIC INDUSTRIAL SYSTEMS CORPORATION 发明人 SHIRAHATA, TAKAHIRO;ORITA, HIROYUKI;YOSHIDA, AKIO;KOGURA, MASAHISA
分类号 C23C16/40 主分类号 C23C16/40
代理机构 代理人
主权项
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