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Halbleiterbauelementanordnung, die aufweist: einen Halbleiterkörper (1), einen MOS-Transistor mit einer in dem Halbleiterkörper (100) angeordneten Sourcezone (2) eines ersten Leitungstyps, einer an die Sourcezone (2) angrenzenden Bodyzone (3) eines zweiten Leitungstyps, einer in dem Halbleiterkörper (100) angeordneten Drainzone (5), einer zwischen der Drainzone (5) und der Bodyzone (3) angeordneten Driftzone (4) und mit einer Gateelektrode (90), die benachbart zu der Bodyzone (3) angeordnet und von dieser durch ein erstes Dielektrikum (61) getrennt ist, wenigstens zwei Steuerelektroden (91, 92, ..., 9n), die benachbart zu der Driftzone (4) angeordnet und von dieser durch ein zweites Dielektrikum (62) getrennt sind, und einer Ansteuerschaltung (10), die an die Gateelektrode (90), die Steuerelektroden (91, 92, ..., 9n) und die Drainzone (5) angeschlossen ist und die dazu ausgebildet ist, in einem ersten Betriebszustand, in dem der MOS-Traen (91, 92, ..., 9n) derart anzusteuern, dass sich ein leitender...
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